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英诺赛科发布60V GaN,为PD3.1提供更多选择

时间:2024-03-26    浏览:3813

INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装,导通电阻 4.3mΩ,在与 40V InnoGaN(INN040FQ043A)封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上,将耐压等级提升到60V,确保更大功率输出,同时实现小体积,低损耗,高频高效等优势。该款产品同样满足工业级可靠性要求,主要应用于高频DC-DC转换器、笔记本电脑充电器、移动电源等应用场景。


产品特性

采用先进的超低导通电阻低压技术

极低的栅极电荷

超小封装 FCQFN 3mm x 4mm

零反向恢复充电电量


产品优势

FOM值为MOSFET 的 1/2,适用于高频高功率密度的应用场景;

在 1.2MHz 高频下,与市场上最佳的硅器件相比,该芯片功率损耗可降低约 1.2W,效率提高1%;

更低温升、更小占板面积。


应用领域

高频DC-DC转换器

笔记本充电器

移动电源